從技術(shù)的角度比較,顯微鏡CCD相機(jī)與CMOS有如下四個方面的不同:
1、信息讀取方式:CCD電荷耦合器存儲的電荷信息,需在同步信號控制下一位一位地實(shí)施轉(zhuǎn)移后讀取,電荷信息轉(zhuǎn)移和讀取輸出需要有時鐘控制電路和三組不同的電源相配合,整個電路較為復(fù)雜。CMOS光電傳感器經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后直接產(chǎn)生電流(或電壓)信號,信號讀取十分簡單。
2、速度:CCD電荷耦合器需在同步時鐘的控制下,以行為單位一位一位地輸出信息,速度較慢;而CMOS光電傳感器采集光信號的同時就可以取出電信號,還能同時處理各單元的圖像信息,速度比CCD電荷耦合器快很多。
3、電源及耗電量:顯微鏡CCD相機(jī)的電荷耦合器大多需要三組電源供電,耗電量較大;CMOS光電傳感器只需使用一個電源,耗電量非常小,僅為CCD電荷耦合器的1/8到1/10,CMOS光電傳感器在節(jié)能方面具有很大優(yōu)勢。
4、成像質(zhì)量:CCD電荷耦合器制作技術(shù)起步早,技術(shù)成熟,采用PN結(jié)或二氧化硅(SiO2)隔離層隔離噪聲,成像質(zhì)量相對CMOS光電傳感器有一定優(yōu)勢。由于CMOS光電傳感器集成度高,各光電傳感元件、電路之間距離很近,相互之間的光、電、磁干擾較嚴(yán)重,噪聲對圖像質(zhì)量影響很大,使CMOS光電傳感器很長一段時間無法進(jìn)入使用。近年,隨著CMOS電路消噪技術(shù)的不斷發(fā)展,為生產(chǎn)高密度的CMOS圖像傳感器提供了良好的條件。
目前,顯微鏡CCD相機(jī)的技術(shù)主要掌握在索尼、佳能、奧林巴斯等幾大廠商手中。主流的數(shù)碼相機(jī)均采用CCD作為光敏傳感器件,像素?cái)?shù)一般為三百萬左右。其制造工藝復(fù)雜,功耗大,成本較高。未來,采用CCD傳感器的數(shù)碼相機(jī)將繼續(xù)朝著提高像素?cái)?shù),增加拍攝功能,提高照片質(zhì)量的方向發(fā)展,力爭在各項(xiàng)指標(biāo)上早日達(dá)到傳統(tǒng)相機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)。
采用CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)一般低于35萬像素,主要面向以家庭、個人用戶為主的低端市場。其時尚化、多功能、價格低的優(yōu)勢受到了普通消費(fèi)者的歡迎。國內(nèi)的數(shù)碼相機(jī)廠商對CMOS數(shù)碼相機(jī)傾注了極高的熱情,包括海鷗、先科、喜馬拉雅等先后推出了相應(yīng)產(chǎn)品。
CMOS可塑性較高,未來除了數(shù)碼相機(jī)之外,將在傳真機(jī)、掃描儀、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、安全偵測系統(tǒng)等方面得到廣泛應(yīng)用。目前市場上CMOS產(chǎn)品不多,但在美國,包括In、TI在內(nèi)的多家公司都在積極研發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。今年7月,歐洲的獨(dú)立半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了兩個有關(guān)CMOS的研發(fā)項(xiàng)目,其中探索CMOS技術(shù)極限的“Advanced Device Implementation Program”,其目標(biāo)是確立國際半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃(ITRS)的Z新版本,并提出面向60納米~30納米的技術(shù)。